微機電制程技術制造應用-芯片制程檢測顯微鏡
運用微機電制程技術制造應用于水下環(huán)境之水下聲響微感測器。
感測器主要結構為配合微機電制程里的面型加工技術所制作出的感測薄膜，并在薄膜的感測面鋪上適當?shù)膲鹤璨牧稀Ｆ溥\作原理為利用結構本身具有自然振頻之特性，
在接受與結構自然振頻接近的特定頻率聲波時，感測器輸出訊號會產(chǎn)生較高的訊雜比，借助此接收聲波所傳遞之訊號內容。
在制程規(guī)劃上共有兩種制程，一種是以SOI芯片為基底的制程，一種則是以六吋單晶硅芯片為基底的制程。
其差別在于使薄膜懸浮的方式，SOI芯片制程是以浸泡氫氟酸蝕刻犧牲層使薄膜懸浮，六吋單晶硅制程則是采用背后蝕刻使薄膜懸浮。
SOI芯片制程由于浸泡氫氟酸時發(fā)生電化學反應使壓阻遭受破壞，而單晶硅芯片制程則透過背后蝕刻深度精準的控制，蝕刻出適當厚度之感測薄膜，
成功完成感測器的制程。完成后進行感測器封裝，制作出適合水下環(huán)境使用之感測器，較后并經(jīng)由各式聲學實驗設備探討聲響感測器之特性以作為感測器應用之參考。
在空氣與水中的測試，感測器成功量測聲波訊號，其訊號與越接近感測器共振頻率頻響反應越佳之趨勢相符，并量測出感測器薄膜之自然振頻。
